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意法半导体日前推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管
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  新产品STV250N55F3是市场上首款整合ST PowerSO-10™ 封装和引线带楔焊键合技术的功率MOSFET,无裸晶片封装的电阻率极低。新产品采用ST的高密度STripFET III™ 制程,典型导通电阻仅为1.5毫欧。STripFET III更多优点包括:开关损耗低,抗雪崩性能强。除提高散热效率外,九线源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时,封装的额定功率为300W。
  新产品的高额定电流让工程师可以设计多个并联的MOSFET,达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈压还有助于简化驱动电路的设计。STV250N55F3适用于高达55V的电力设备。
  高达175℃的工作温度使STV250N55F3适用于强电流电力牵引设备,如叉车、高尔夫球用车和电动托盘装卸车以及割草机、电动轮椅和电动自行车。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的雪崩测试,为可靠性和抗击穿性提供了有力的保障。新产品将很快达到汽车级产品质量标准。

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